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BLS6G2731-120,112
Transistor FET RF, 32 V, 33 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502B
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBLS6G2731-120,112
No. Parte Newark70R2898
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds32V
Intensidad Drenador Continua Id33A
Disipación de Potencia120W
Disipación de Potencia Pd120W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.2.7GHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.3.1GHz
Diseño de TransistorSOT-502B
Núm. de Contactos2Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-502B
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
32V
Disipación de Potencia
120W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
2.7GHz
Diseño de Transistor
SOT-502B
Encapsulado de Transistor RF
SOT-502B
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Disipación de Potencia Pd
120W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
3.1GHz
Núm. de Contactos
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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