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MRF6V10010NR4
Transistor FET RF, 100 V, 960 MHz, 1.4 GHz, PLD-1.5
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 100+ | $91.520 |
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Mínimo: 100
Múltiple: 100
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRF6V10010NR4
No. Parte Newark09P4207
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.960MHz
Disipación de Potencia Pd-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1.4GHz
Diseño de TransistorPLD-1.5
Núm. de Contactos4Pines
Encapsulado de Transistor RFPLD-1.5
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Disipación de Potencia
-
Disipación de Potencia Pd
-
Diseño de Transistor
PLD-1.5
Encapsulado de Transistor RF
PLD-1.5
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
960MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1.4GHz
Núm. de Contactos
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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