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FCP104N60
MOSFET, N-CH, 600V, 37A, 150DEG C, 357W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCP104N60
No. Parte Newark54AH6230
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
293 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.260 |
| 10+ | $7.390 |
| 25+ | $6.650 |
| 50+ | $5.900 |
| 100+ | $5.420 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCP104N60
No. Parte Newark54AH6230
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id37A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.096ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia357W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET II
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET II
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
37A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.096ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
357W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FCP104N60
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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