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FCP850N80Z
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-220-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCP850N80Z
No. Parte Newark84Y5820
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.060 |
| 10+ | $3.230 |
| 100+ | $2.440 |
| 500+ | $2.250 |
| 1600+ | $2.060 |
| 3200+ | $1.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.06
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCP850N80Z
No. Parte Newark84Y5820
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.71ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperFET II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.71ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
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