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MJD3055T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL PURPOSE, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 10 RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.438 |
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Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD3055T4G
No. Parte Newark31Y2625
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia1.75W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición2MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia
1.75W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
10A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
2MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD3055T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Trazabilidad del producto