Imprimir página
2N7002
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
18,952 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.144 |
| 25+ | $0.144 |
| 50+ | $0.144 |
| 100+ | $0.133 |
| 250+ | $0.133 |
| 500+ | $0.132 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.14
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002
No. Parte Newark58K9651
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N7002 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N producido utilizando alta densidad celular y tecnología DMOS. Minimiza la resistencia en el estado al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación resistente, confiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA CD y puede suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños y los controladores de compuerta MOSFET de potencia.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Disipación de Potencia Pd
200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002
4 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto