Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
6,754 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.196 |
50+ | $0.109 |
100+ | $0.057 |
250+ | $0.057 |
500+ | $0.056 |
1000+ | $0.054 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.20
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002ET1G
No. Parte Newark09R9861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id310
Resistencia de Activación Rds(on)0.86ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.5
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd420mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia420
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N7002ET1G es un MOSFET de señal pequeña de canal N en tecnología Trench y bajo drenaje a voltaje de fuente. Adecuado para interruptores de carga lateral baja y circuitos de cambio de nivel.
- Corriente de drenaje pulsada 1.2A
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.86ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
420mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
310
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.5
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
420
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002ET1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto