Imprimir página
2N7002ET1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
6,834 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.196 |
| 50+ | $0.107 |
| 100+ | $0.056 |
| 250+ | $0.056 |
| 500+ | $0.055 |
| 1000+ | $0.052 |
| 2500+ | $0.044 |
| 5000+ | $0.036 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.20
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002ET1G
No. Parte Newark09R9861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.86ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.86ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd420mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia420mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El 2N7002ET1G es un MOSFET de señal pequeña de canal N en tecnología Trench y bajo drenaje a voltaje de fuente. Adecuado para interruptores de carga lateral baja y circuitos de cambio de nivel.
- Corriente de drenaje pulsada 1.2A
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.86ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0.86ohm
Disipación de Potencia Pd
420mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
420mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002ET1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto