Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
103,441 En Stock
¿Necesita más?
901 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
102540 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.313 |
10+ | $0.168 |
25+ | $0.143 |
50+ | $0.117 |
100+ | $0.092 |
250+ | $0.091 |
500+ | $0.090 |
1000+ | $0.076 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.31
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002K
No. Parte Newark31Y5852
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N7002K es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que presenta baja resistencia, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja y velocidad de conmutación rápida.
- Fuga baja de entrada/salida
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002K
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto