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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteATP304-TL-H
No. Parte Newark30AC9383
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Diseño de TransistorATPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-2.6
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Diseño de Transistor
ATPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-2.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
90W
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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