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BC846BM3T5G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 MHz, 265 mW, 100 mA, 290 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC846BM3T5G
No. Parte Newark31Y0509
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor65V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua100mA
Disipación de Potencia265mW
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-723
Corriente de Colector DC0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.290hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
265mW
Diseño de Transistor
SOT-723
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
290hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
65V
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BC846BM3T5G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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