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BC856BM3T5G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC856BM3T5G
No. Parte Newark81Y5872
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo65V
Voltaje Máx. Colector a Emisor65
Corriente de Colector DC100mA
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia Pd265mW
Disipación de Potencia265
Diseño de TransistorSOT-723
Ganancia de Corriente DC hFE220hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.220
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
65
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia
265
Ganancia de Corriente DC hFE
220hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
220
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
65V
Corriente de Colector DC
100mA
Disipación de Potencia Pd
265mW
Diseño de Transistor
SOT-723
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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