Imprimir página
BS170-D27Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
995 En Stock
¿Necesita más?
202 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
793 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.448 |
| 10+ | $0.251 |
| 25+ | $0.213 |
| 50+ | $0.175 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.45
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBS170-D27Z
No. Parte Newark31Y0565
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd830mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia830mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BS170_D27Z es un FET de modo de mejora de canal N producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado ON al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se puede usar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500mA CD. Es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Disipación de Potencia Pd
830mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BS170-D27Z
5 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto