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BSS123
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123
No. Parte Newark58K8768
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd360mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia360mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El BSS123 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N en paquete SOT-23. Este producto está diseñado para minimizar la resistencia al estado mientras que proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido, por lo que BSS123 es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente como el control de servomotor pequeño, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Baja resistencia al estado de 1.2ohm a Vgs 10V
- Corriente continua de drenaje de 170mA
- Potencia de disipación máxima de 360mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS123
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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