Imprimir página
BSS123LT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
159,940 En Stock
29,899 Puede reservar stock ahora
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Ver horas límite
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.240 |
| 50+ | $0.131 |
| 100+ | $0.080 |
| 250+ | $0.078 |
| 500+ | $0.076 |
| 1000+ | $0.073 |
| 2500+ | $0.063 |
| 5000+ | $0.051 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.24
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123LT1G
No. Parte Newark83H6428
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id170mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10VDC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia225mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El BSS123LT1G es un MOSFET de potencia de canal N de 170mamps, 100 volts. Es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Voltaje drenaje - fuente de 25VCD
- El voltaje continuo de compuerta-fuente es de ±20VCD
- Corriente de drenaje continua de 0.17Acd
- Rango de temperatura de unión y almacenamiento de -55 a +150°C
- La resistencia de encendido de la fuente de drenaje estática es de 6 ohmios como máximo ((VGS = 10VCD, ID = 100mAcd)
- Encapsulado SOT-23
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10VDC
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS123LT1G
6 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto