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FCH040N65S3-F155
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH040N65S3-F155
No. Parte Newark48AC0830
Rango de ProductoSuperFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFCH040N65S3-F155
No. Parte Newark48AC0830
Rango de ProductoSuperFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id65
Resistencia de Activación Rds(on)0.0354ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0354
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd417W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia417
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSuperFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0354ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
417W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0354
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
417
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto