Imprimir página
FDC2612
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
4,126 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.978 |
| 10+ | $0.696 |
| 25+ | $0.624 |
| 50+ | $0.551 |
| 100+ | $0.479 |
| 250+ | $0.436 |
| 500+ | $0.392 |
| 1000+ | $0.356 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.98
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC2612
No. Parte Newark31Y1343
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0.605ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.605ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC2612 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Alta velocidad de conmutación
- Carga de puerta baja típica de 8nC
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.605ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.605ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto