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FDC6310P
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 100 mohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6310P
No. Parte Newark58K1418
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.2
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente100
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente100
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960
Disipación de Potencia de Canal P960
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC6310P es un MOSFET de doble canal P producido utilizando el avanzado proceso PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo ha sido diseñado para ofrecer una disipación de energía excepcional en un espacio muy pequeño para aplicaciones donde los paquetes más grandes y caros no son prácticos. Es adecuado para usar con interruptor de carga y aplicaciones protegidas con batería.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Huella pequeña
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
100
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
100
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia de Canal N
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6310P
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto