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FDD9409-F085
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, TO-252
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD9409-F085
No. Parte Newark07AH3905
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD9409-F085
No. Parte Newark07AH3905
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2300µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoPowerTrench
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDD9409-F085 es un MOSFET PowerTrench® de canal N. La aplicación incluye control de motores de automóviles, gestión del tren motriz, controladores de motores y solenoides, dirección electrónica, arrancador/alternador integrado, arquitecturas de energía distribuida y VRM, interruptor primario para sistemas de 12V.
- La resistencia del drenaje a la fuente es de 2.3mohm (típico, TJ = 25 °C, ID = 80A, VGS = 10V)
- Carga de puerta total típica de 42nC a 10V (VGS = 0 a 10V, VDD = 20V, ID = 80A)
- Voltaje de ruptura mínimo entre drenaje y fuente de 40V (ID = 250μA, VGS = 0V)
- Corriente de fuga máxima de drenaje a fuente de 1μA (TJ = 25 °C, VDS = 40V, VGS = 0V)
- La corriente de fuga de puerta a fuente es de ±100nA (máximo, VGS = ±20V)
- La capacitancia de entrada es 3130pF (típica, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- La capacitancia de salida es 756pF (típica, VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- La resistencia de la puerta es de 2 ohms (f = 1 MHz, TO = 25°C)
- El voltaje del diodo de fuente a drenaje es de 1.25V (máx., ISD = 80A, VGS = 0V)
- Paquete D-PAK(TO-252), rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDD9409-F085
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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