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FDMC86139P
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86139P
No. Parte Newark84Y9936
Rango de ProductoPowerTrench
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86139P
No. Parte Newark84Y9936
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-3
Disipación de Potencia40
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
Diseño de Transistor
MLP
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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