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FDMC86244
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Montaje Superficial
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 62 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.580 |
| 10+ | $1.110 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.923 |
| 100+ | $0.831 |
| 250+ | $0.745 |
| 500+ | $0.659 |
| 1000+ | $0.590 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.58
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86244
No. Parte Newark88T3282
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id9.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.105ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd26W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia26W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.105ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
26W
Disipación de Potencia
26W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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