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FDMS4435BZ
MOSFET, P CHANNEL, 30V, 18A, POWER56
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $0.735 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS4435BZ
No. Parte Newark88T3308
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia de Activación Rds(on)0.015ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd39W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia39W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
39W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.015ohm
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia Pd
39W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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