FDN337N
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.238 |
| 25+ | $0.237 |
| 50+ | $0.237 |
| 100+ | $0.218 |
| 250+ | $0.218 |
| 500+ | $0.201 |
| 1000+ | $0.201 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDN337N es un transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N en paquete superSOT-3. Este transistor se produce utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular, el proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia del estado, por lo que es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje en computadoras portátiles, teléfonos portátiles, tarjetas PCMCIA y otros circuitos alimentados por batería donde la conmutación rápida y baja Se necesitan pérdidas de potencia en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
- Diseño de celda de alta densidad para Rds extremadamente bajo (on)
- Excepcional resistencia de encendido y capacidad máxima de corriente CD
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 30V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 8V
- Baja resistencia al estado de 65mohm a Vgs 4.5V
- Corriente continua de drenaje de 2.2A
- Potencia de disipación máxima de 500mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Canal N
30V
0.054ohm
SuperSOT
4.5V
700mV
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal N
2.2A
0.054ohm
Montaje Superficial
500mW
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN337N
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Legislación y medioambiente
RoHS
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