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FDS8896
MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 30 V, 0.0049 ohm, 10 V, 1.2 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 25+ | $0.673 |
| 50+ | $0.593 |
| 100+ | $0.514 |
| 250+ | $0.463 |
| 500+ | $0.412 |
| 1000+ | $0.373 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8896
No. Parte Newark95W3188
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6000µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8896
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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