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FDT86244
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86244
No. Parte Newark88T3371
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id2.8A
Resistencia de Activación Rds(on)0.106ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.106ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.106ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.2W
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.106ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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