Imprimir página
FDV304P
MOSFET de Potencia, Canal P, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
20,427 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.041 |
| 50+ | $0.041 |
| 100+ | $0.041 |
| 250+ | $0.041 |
| 500+ | $0.041 |
| 1000+ | $0.041 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.04
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV304P
No. Parte Newark58K1480
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id460
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1
Resistencia de Activación Rds(on)1.22ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente860
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDV303N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular, que se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener las condiciones de manejo de puerta baja. Tiene una excelente resistencia al estado, incluso a voltajes de transmisión de puerta tan bajos como 2.5V. FDV303N está diseñado para aplicaciones de alimentación de batería, como computadoras portátiles, teléfonos celulares y computadoras.
- Requisitos de unidad de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -25V
- Voltaje de compuerta a fuente de -8V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -460mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 1.22ohm a Vgs -2.7V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
860
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
460
Resistencia de Activación Rds(on)
1.22ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV304P
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto