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FFSB1065B-F085
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC Series, Único, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSB1065B-F085
No. Parte Newark84AC6673
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
405 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.930 |
| 10+ | $3.190 |
| 25+ | $3.130 |
| 50+ | $3.090 |
| 100+ | $3.040 |
| 250+ | $2.970 |
| 500+ | $2.890 |
| 1600+ | $2.620 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.93
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSB1065B-F085
No. Parte Newark84AC6673
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650
Corriente Directa Promedio10
Carga Capacitiva Total25
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-263 (D2PAK)
Núm. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
EliteSiC Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650
Carga Capacitiva Total
25
Núm. de Pines
3 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
10
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto