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FFSD0865B
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC Series, Único, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSD0865B
No. Parte Newark38AH6596
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSD0865B
No. Parte Newark38AH6596
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650
Corriente Directa Promedio8
Carga Capacitiva Total22
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-252 (DPAK)
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
EliteSiC Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650
Carga Capacitiva Total
22
No. de Pines
3 Pines
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
8
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto