Imprimir página
FFSH50120A
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC Series, Único, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSH50120A
No. Parte Newark62AC6888
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
1,660 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Ver horas límite
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $28.720 |
| 5+ | $27.820 |
| 10+ | $26.920 |
| 25+ | $26.020 |
| 50+ | $25.120 |
| 100+ | $24.570 |
| 250+ | $24.030 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$28.72
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFFSH50120A
No. Parte Newark62AC6888
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2
Corriente Directa Promedio50
Carga Capacitiva Total252
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-247
Núm. de Pines2 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
EliteSiC Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2
Carga Capacitiva Total
252
Núm. de Pines
2 Pines
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
50
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto