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FQB34P10TM
MOSFET Transistor, P Channel, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB34P10TM
No. Parte Newark31Y1514
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id33.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.75W
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
33.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.75W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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