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FQD17P06TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD17P06TM
No. Parte Newark15R3444
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD17P06TM
No. Parte Newark15R3444
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.135
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoQFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.135
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
QFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQD17P06TM
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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