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FQD17P06TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD17P06TM
No. Parte Newark15R3444
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $1.020 |
| 25+ | $0.925 |
| 50+ | $0.837 |
| 100+ | $0.750 |
| 250+ | $0.674 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQD17P06TM
No. Parte Newark15R3444
Rango de ProductoQFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.5W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de ProductoQFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
QFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQD17P06TM
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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