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J111-D26Z
Transistor JFET, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ111-D26Z
No. Parte Newark31Y2105
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula20mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-10
Diseño de TransistorTO-226AA
Núm. de Pines3 Pin
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza J111-D26Z
2 productos encontrados
Resumen del producto
The J111_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-10
Núm. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Through Hole
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
20mA
Diseño de Transistor
TO-226AA
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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