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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.551 |
10+ | $0.356 |
100+ | $0.189 |
500+ | $0.174 |
1000+ | $0.151 |
4000+ | $0.127 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteJ113-D74Z
No. Parte Newark74AC1134
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula2mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-3
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3 Pin
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-3
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Through Hole
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
2mA
Diseño de Transistor
TO-92
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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