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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMBRA160T3G.
No. Parte Newark26AC1731
Rango de ProductoSerie MBRA1
Voltaje Reverso Pico Repetitivo60V
Corriente Directa Promedio2.1A
Configuración de DiodoÚnico
Estilo de la Carcasa del DiodoDO-214AC (SMA)
No. de Pines2Pines
Voltaje Directo Máx.510mV
Corriente de Sobretensión Directa30A
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSerie MBRA1
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The MBRA160T3G is a surface mount Schottky power Rectifier Diode with epoxy moulded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish and cathode lead indicated by polarity band. This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
- Highly stable oxide passivated junction
- Very low forward voltage drop
- Guarding for stress protection
- AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
60V
Configuración de Diodo
Único
No. de Pines
2Pines
Corriente de Sobretensión Directa
30A
Rango de Producto
Serie MBRA1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Corriente Directa Promedio
2.1A
Estilo de la Carcasa del Diodo
DO-214AC (SMA)
Voltaje Directo Máx.
510mV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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