Imprimir página
MBRD1035CTLT4G.
Rectificador Schottky, 35 V, 10 A, Cátodo Común Doble, TO-252 (DPAK), 3 Pines, 560 mV
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMBRD1035CTLT4G.
No. Parte Newark26AC1741
Rango de ProductoSerie MBRD1
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semana(s)
Realizada por Avnet
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.538 |
| 3000+ | $0.521 |
| 6000+ | $0.484 |
| 12000+ | $0.448 |
| 18000+ | $0.435 |
| 30000+ | $0.428 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,345.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMBRD1035CTLT4G.
No. Parte Newark26AC1741
Rango de ProductoSerie MBRD1
Voltaje Reverso Pico Repetitivo35V
Corriente Directa Promedio10A
Configuración de DiodoCátodo Común Doble
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Voltaje Directo Máx.560mV
Corriente de Sobretensión Directa50A
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSerie MBRD1
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The MBRD1035CTLT4G is a SWITCHMODE™ DPAK surface-mount Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diode and polarity protection diodes.
- All external surfaces corrosion-resistant
- Highly stable oxide passivated junction
- Guard-ring for stress protection
- Matched dual die construction - may be paralleled for high current output
- High dv/dt capability
- Short heat-sink tap manufactured - Not sheared
- Very low forward-voltage drop
- UL94V-0 Flammability rating
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
35V
Configuración de Diodo
Cátodo Común Doble
No. de Pines
3Pines
Corriente de Sobretensión Directa
50A
Rango de Producto
Serie MBRD1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Corriente Directa Promedio
10A
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-252 (DPAK)
Voltaje Directo Máx.
560mV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto