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MJ11012G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, TO-204AA, 2 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11012G
No. Parte Newark42K1309
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd200
Corriente del Colector Continua30A
Corriente de Colector DC30
Disipación de Potencia200W
Encapsulado de Transistor RFTO-204AA
No. de Pines2Pines
Ganancia de Corriente DC hFE1000
Diseño de TransistorTO-204AA
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJ11012G es un transistor Darlington de potencia bipolar NPN diseñado para su uso como dispositivo de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general.
- Dispositivo complementario
- Construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor de base incorporadas.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia Pd
200
Corriente de Colector DC
30
Encapsulado de Transistor RF
TO-204AA
Ganancia de Corriente DC hFE
1000
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60
Frecuencia de Transición
-
Corriente del Colector Continua
30A
Disipación de Potencia
200W
No. de Pines
2Pines
Diseño de Transistor
TO-204AA
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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