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MJ11015G
Transistor Darlington, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJ11015G
No. Parte Newark26K4504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120V
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Corriente del Colector Continua30A
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd200W
Disipación de Potencia200W
Corriente de Colector DC30A
Encapsulado de Transistor RFTO-3
No. de Pines2Pines
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Diseño de TransistorTO-3
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El MJ11015G de On Semiconductor es un transistor de potencia bipolar Darlington de orificio pasante, 30A, 120V PNP en el paquete TO-204AA (TO-3). Presenta una alta ganancia de corriente CD y una construcción monolítica con una resistencia de derivación de emisor de base incorporada. Funciona como un dispositivo de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general.
- Voltaje del colector al emisor (Vce) de -120V
- La corriente de colector (Ic) es de -30A
- Disipación de potencia de 200W
- Rango de temperatura de operación de unión entre -55°C y 200°C
- Ruptura del colector de voltaje Voltaje de -120V
- Voltaje de saturación de colector a emisor de -3V a 20A de corriente de colector
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
200W
Encapsulado de Transistor RF
TO-3
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120V
Corriente del Colector Continua
30A
Disipación de Potencia Pd
200W
Corriente de Colector DC
30A
No. de Pines
2Pines
Diseño de Transistor
TO-3
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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