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MJB42CT4G
POWER TRANSISTOR, PNP, -100V D2-PAK
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB42CT4G
No. Parte Newark48AC3103
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua6A
Disipación de Potencia65W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.15hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente del Colector Continua
6A
Disipación de Potencia Pd
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
15hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
65W
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
3MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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