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---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD112RLG
No. Parte Newark71J5846
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor100
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua2
Corriente PNP de Colector Continua-
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia NPN20
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD1000
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN25
Frecuencia de Transición PNP-
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia NPN
20
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
100
Corriente NPN de Colector Continua
2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
1000
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición NPN
25
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD112RLG
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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