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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD210T4G
No. Parte Newark50AC6103
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua5
Disipación de Potencia1.4
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición65
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza MJD210T4G
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
5
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
1.4
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
65
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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