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MJD340T4G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 500 mA, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD340T4G.
No. Parte Newark15AC3559
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo300V
Voltaje Máx. Colector a Emisor300
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia1.56
Disipación de Potencia Pd1.56W
Corriente de Colector DC500mA
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición10
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
300
Disipación de Potencia
1.56
Corriente de Colector DC
500mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
300V
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia Pd
1.56W
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición
10
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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