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MJD47T4G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD47T4G
No. Parte Newark26K4446
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo250V
Voltaje Máx. Colector a Emisor250
Corriente del Colector Continua1
Disipación de Potencia1.56
Disipación de Potencia Pd1.56W
Corriente de Colector DC1A
Ganancia de Corriente DC hFE10hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Frecuencia de Transición10
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250
Disipación de Potencia
1.56
Corriente de Colector DC
1A
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
250V
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia Pd
1.56W
Ganancia de Corriente DC hFE
10hFE
No. de Pines
4Pines
Frecuencia de Transición
10
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD47T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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