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MMBF102
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 20 mA, -8 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 6 semana(s)
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF102
No. Parte Newark18C7360
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero20mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-8V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorFET de RF
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-8V
Tipo de Transistor
FET de RF
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
20mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
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