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MMBF4392LT1G.
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4392LT1G.
No. Parte Newark27AC9084
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero75mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula25mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorSOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Núm. de Pines3 Pines
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
75mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Núm. de Pines
3 Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
25mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
JFET
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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