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MMBFJ112
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ112
No. Parte Newark58K9423
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-35V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ112
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The MMBFJ112 is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- Interchangeable source and drain
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-35V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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