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MMBT5550LT1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5550LT1G.
No. Parte Newark26AC2259
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo140V
Voltaje Máx. Colector a Emisor140
Corriente del Colector Continua600
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Corriente de Colector DC600mA
Ganancia de Corriente DC hFE250hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
140
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
225
Ganancia de Corriente DC hFE
250hFE
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
140V
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
225mW
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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