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NCV8412ASTT3G
MOSFET, N-CH, 44V, 3.9A, 150DEG C, 2.2W ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $1.360 |
| 25+ | $1.140 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.894 |
| 250+ | $0.775 |
| 500+ | $0.702 |
| 1000+ | $0.641 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8412ASTT3G
No. Parte Newark12AJ7239
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds44V
Intensidad Drenador Continua Id3.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
44V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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