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NGTB50N120FL2WG
IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNGTB50N120FL2WG
No. Parte Newark28X8013
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC100A
Corriente del Colector Continua100
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.2V
Disipación de Potencia535
Disipación de Potencia Pd535W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2
Disipación de Potencia
535
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Corriente del Colector Continua
100
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.2V
Disipación de Potencia Pd
535W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto