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NGTB50N120FL2WG
IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNGTB50N120FL2WG
No. Parte Newark28X8013
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua100
Corriente de Colector DC100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.2V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2
Disipación de Potencia Pd535W
Disipación de Potencia535
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
100
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.2V
Disipación de Potencia Pd
535W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Corriente de Colector DC
100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2
Disipación de Potencia
535
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto