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NTBG020N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N120SC1
No. Parte Newark54AH9493
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
610 En Stock
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N120SC1
No. Parte Newark54AH9493
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id98A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia468W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
No. de Pines
7Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
468W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
98A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto