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NTH4L022N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
84 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $22.390 |
| 10+ | $19.870 |
| 25+ | $19.460 |
| 50+ | $18.800 |
| 100+ | $18.480 |
| 250+ | $18.370 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id68A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.72V
Disipación de Potencia352W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.72V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
EliteSiC Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
352W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTH4L022N120M3S
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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