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NTH4L022N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id68A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.72V
Disipación de Potencia352W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.72V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
EliteSiC Series
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
352W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTH4L022N120M3S
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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